0371-5536 5392 0371-5519 9322
雙室脈沖激光鍍膜機用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體及有機化合物薄膜材料，適合生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料，廣泛應用于大專院校薄膜材料研究及制作。
設備組成：
系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成.
實驗室脈沖激光沉積技術參數：
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產品名稱 |
PLD脈沖激光沉積蒸發(fā)鍍膜儀 |
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產品型號 |
TN-PLD-450 |
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主真空系統(tǒng) |
球形結構，尺寸：直徑450mm |
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載樣系統(tǒng) |
垂直圓柱形結構，尺寸：直徑150×150mm |
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真空系統(tǒng)配置 |
主真空室 |
機械泵、分子泵、閥門 |
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裝載樣品系統(tǒng) |
機械泵、分子泵（與主腔共用）、閥門 |
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極限壓力 |
主真空系統(tǒng) |
≤6*10-6Pa（烘烤、脫氣后） |
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裝載樣品系統(tǒng) |
≤6*10-3 Pa（烘烤、脫氣后） |
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真空回收系統(tǒng) |
主真空系統(tǒng) |
20分鐘可達5x10-3Pa（系統(tǒng)短暫暴露于大氣中，充入干燥氮氣即可開始抽氣） |
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裝載樣品系統(tǒng) |
20分鐘可達5x10-3Pa（系統(tǒng)短暫暴露于大氣中，充入干燥氮氣即可開始抽氣） |
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旋轉靶臺 |
靶材*大尺寸約60 or 25mm；可一次安裝4塊靶材，可實現公轉換靶; 每塊靶材可自轉，轉速5~60轉/分 |
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基片加熱臺 |
樣品尺寸 |
?. 51 |
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運動方式 |
基片可連續(xù)回轉，轉速5~60轉/分 |
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加熱溫度 |
基片加熱*高溫度800Ｃ±1 C，可控可調 |
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氣路系統(tǒng) |
1 回路質量流量控制器，1 回路充氣閥 |
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可選配件 |
激光裝置 |
兼容相干201激光 |
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激光束掃描裝置 |
2D掃描機械平臺，進行二自由度掃描。 |
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計算機控制系統(tǒng) |
控制內容包括普通轉換靶、靶旋轉、樣品旋轉、樣品溫度控制、激光束掃描等。 |
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設備占地面積 |
主機 |
1800 * 1800mm2 |
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電控柜 |
700 *700mm2(one) |
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